Преглед садржаја:
Дефиниција - Шта значи Перфецт РАМ?
Савршена РАМ је врста неиспарљиве меморије са случајним приступом. Чува податке мењајући стање коришћеног материјала; халкогенидно стакло прелази између стања када је изложено топлоти произведеној проласком електричне струје. На микроскопском нивоу подаци се мењају између два и другог стања: аморфног и кристалног.
Савршена РАМ-а једна је од неколико меморијских технологија које се надмећу за замену флеш меморије, што има низ проблема.
Овај термин је такође познат као ПРАМ, ПЦРАМ, овониц обједињена меморија, халкогенидна РАМ, Ц-РАМ и меморија фазне промене (ПЦМ).
Тецхопедиа објашњава Перфецт РАМ
У аморфном стању (или неуређеном стању), материјал има високу електричну отпорност. У кристалном стању (или наручена фаза) има мању отпорност. Дакле, дозвољено је укључивање и искључивање електричне струје, која представљају дигитална висока и ниска стања која одговарају 1 и 0 вредности бинарног кода. Недавна истраживања открила су два додатна стања, ефикасно удвостручујући капацитет складиштења.
Времена писања за флеш меморију су око милисекунде за блок података, 100.000 пута већа од уобичајеног времена читања у бајту од 10 наносекунди (нс) користећи статичку меморију са случајним приступом (СРАМ). Савршена РАМ-а може понудити много веће перформансе када је важно писање. Фласх меморија се деградира са сваким избијањем напона. Савршени РАМ уређаји такође се смањују, али знатно спорије. Ови уређаји могу издржати око 100 милиона циклуса писања. Савршен радни век РАМ-а је ограничен топлотном експанзијом током програмирања, миграцијом метала и непознатим механизмима.
Неки од изазова за савршену РАМ технологију укључују захтев за великом програмском густином струје (прецизна контрола струје), дугорочним отпором (одрживи отпор електричној струји) и прагом прага напона (прецизна контрола електричног напона) - сви на микроскопски ниво. Хевлетт-Пацкард, Самсунг, СТМицроелецтроницс и Нумоник, између осталог, истражују ове изазове.
