Преглед садржаја:
- Дефиниција - Шта значи отпорна меморија са случајним приступом (РеРАМ)?
- Тецхопедиа објашњава отпорну меморију са случајним приступом (РеРАМ)
Дефиниција - Шта значи отпорна меморија са случајним приступом (РеРАМ)?
Отпорна меморија са случајним приступом (РРАМ / РеРАМ) је нова врста меморије која је дизајнирана да буде неиспарљива. Неколико компанија је у развоју, а неке су већ патентирале своје верзије технологије. Меморија делује променом отпора специјалног диелектричног материјала названог мемресистор (меморијски отпорник) чији отпор варира у зависности од примењеног напона.
Тецхопедиа објашњава отпорну меморију са случајним приступом (РеРАМ)
РРАМ је резултат нове врсте диелектричног материјала који се трајно не оштећује и не ради када се догоди диелектрични слом; за мемресистор, диелектрични квар је привремен и реверзибилан. Када се напон намерно примени на мемресистор, у материјалу се стварају микроскопске проводљиве стазе назване филаменти. Влакна су последица појава попут миграције метала или чак физичких оштећења. Филети се могу сломити и обрнути применом различитих спољних напона. Управо то стварање и уништавање нити у великим количинама омогућава складиштење дигиталних података. Материјали који имају мемресисторске карактеристике укључују оксиде титанијума и никла, неке електролите, полуводичке материјале, па чак и неколико органских једињења тестирано је да имају ове карактеристике.
Главна предност РРАМ-а у односу на остале неиспарљиве технологије је велика брзина пребацивања. Због танкоће мемресистара, он има велики потенцијал за велику густину складиштења, веће брзине читања и писања, нижу потрошњу енергије и јефтиније трошкове од флеш меморије. Фласх меморија не може да настави са скалирањем због ограничења материјала, па ће РРАМ ускоро заменити флеш меморију.
